精拋光工藝參數(shù)對硅片表面有什么樣的影響規(guī)律。平面拋光機(jī)了解到精拋光的主要目的是去除前道工序留下的損壞層，因此拋光去除量的大小直接影響硅片表面的Haze值。同時(shí)由于拋光的過程中存在機(jī)械去除和化學(xué)去除兩種機(jī)制，而這兩種機(jī)制的匹配程度也對硅片表面的Haze值有著重要影響，當(dāng)機(jī)械去除作用占主導(dǎo)地位時(shí)，硅片表面Haze值較小，但是如果機(jī)械去除作用占主導(dǎo)地位時(shí)，硅片表面Haze值較小，但機(jī)械去除作用過大時(shí)，會(huì)造成硅片表面的局部損壞，如劃傷等，當(dāng)化學(xué)去除作用占主導(dǎo)地位時(shí)，硅片表面會(huì)發(fā)生過度腐蝕的現(xiàn)象，造成硅片表面Haze值較大。

現(xiàn)在社會(huì)發(fā)展電路發(fā)展的越來越快，硅片的Haze值數(shù)對于現(xiàn)代半導(dǎo)體器件工藝的影響也越來越受到各種各樣的人的不斷重視，方達(dá)研磨在實(shí)驗(yàn)研究出精拋光工藝參數(shù)對硅片表面的影響。結(jié)果表明，隨著拋光時(shí)間的不斷延遲，硅的去除量也會(huì)逐漸的增大，硅片表面Haze值逐漸降低，同時(shí)拋光過程中機(jī)械作用與化學(xué)作用的協(xié)同作用對Haze值也有較大影響。隨著拋光液溫度的降低與拋光液體積的不斷減小，化學(xué)作用從而減弱，硅片表面的Haze值也隨著不斷減小，拋光壓力的不斷增大，機(jī)械作用從而起到主導(dǎo)的作用，硅片表面的Haze值也逐漸的降低。隨著硅去除量的增大 拋光液溫度的下降 拋光液體積流量的降低 拋光壓力的增大 硅片表面Haze值基本是保持不變的。